分析试验（DPA、FA和CA）
本检测中心自成立以来，完成了数千批元器件的破坏性物理分析（DPA）失效分析（FA）和结构分析（CA），先后为国家重点工程提供失效分析服务；承担了GJB 4027“军用电子元器件破坏性物理分析方法”的制修订，该标准作为电子元器件DPA领域的权威标准，在电子元器件质量保证中起着重要的作用；此外，还承担了GJB 4152“多层瓷介电容器及其类似元器件剖面制备及检验方法”、GJB⠁63“塑封集成电路的潮湿敏感度分级试验方法”和GJB 10179”热真空释气试验方法”等标准的制定。
DPA、CA检测项目：
内部气体成份分析、粒子碰撞噪声检测、X射线检查（X-ray、CT）、超声扫描显微镜检查、密封、内外部目检（OM、3D-OM、UV-OM）、键合强度、芯片剪切强度、剖面制备、玻璃钝化完整性、扫描电子显微镜检查、微区材料定性及半定量分析（SEM-EDS）、化学腐蚀、机械开封、激光开封等。
FA检测项目：IV曲线测试、微光显微镜（PEM-CCD、PEM-InGaAs）、光束诱导电阻变化分析（OBIRCH）、电子束感生电流成像（SEM-EBIC）、热点探测（InSb Hot Spot）、聚焦离子束（FIB线路修补、TEM制样）、原子力显微镜（AFM-SCM）、离子束剖面研磨（CP）。
电性能测试
半导体分立器件测试
静态参数：测试电压10V～3000V，测试电流100pA～600A；
动态参数：测试电压5V～1200V，测试电流20mA～200A；
可测参数包括：夹断电压、阈值电压、正向跨导、阻性负载开关时间、动态电容、反向恢复参数、栅电荷、感性负载开关时间、拖尾时间、开关损耗、短路耐量、短路电流、电容参数及栅电阻等。
射频微波测试
S参数测试：频率范围900Hz～67GHz；
功率放大器、低噪声放大器、混频器、移相器、开关、滤波器、压控振荡器、频率源等器件测试，频率范围3Hz～50GHz，最大测试功率53dBm。
光电器件测试
有源光器件测试。单模、多模有源光器件直流参数、小信号参数和时域参数的性能测试，波长覆盖1310nm、1550nm、850nm等光通信器件可能使用的波长，覆盖发射、接收、调制器件的光功率、光谱、眼图、接收灵敏度、调制带宽等性能指标；
无源光器件测试。可以进行插入损耗IL、偏振相关损耗PDL和回波损耗RL等参数的测试和光不连续性测试。
混合集成电路测试
信号激励能力：DC～120MHz，幅度10VP-P～50Ω；
信号激励能力：DC～330MHz，幅度10VP-P～50Ω；
电源激励能力：500V/90A，15kW；80V/340A，10kW；
电压基准：±1020V，5个量程，精度7位半；
电流基准：最大20A，7个量程，精度7位半；
电压测试范围：±1000VDC、1000VAC，5个量程，精度8位半；
电流测试范围：20ADC、10AAC，8个量程，精度8位半；
电阻测试范围：10Ω～1GΩ，7个量程，精度7位半；
时间测试范围：最小1ns，分辨率250ps；频率测试范围：最大12.4GHz、精度10-9、分辨率12位。运算放大器（含功率运放）、脉宽调制器PWM、电压比较器、电压跟随器、精密电压基准、时基电路、达林顿晶体管阵列等各类模拟器件的交、直流参数测试
DUT电流范围高达±10A，满足功率运放的测试要求；
可进行压摆率SR+/SR-、增益带宽积BW等动态参数的测试；
失调电压测试分辨力高达0.01uV，偏置电流测试分辨力高达0.05pA；
可在±40V的共模电压上叠加uV、mV级精密差模电压；支持输入微小精密电压扫描测试方法，测试失调电压与滞回电压。
阻容感、晶体振荡器等元器件测试。
寿命试验
开展高温/常温稳态寿命、高温反偏、间歇寿命、IGBT功率循环（秒级、分钟级）、加速应力试验（HALT、HASS）及阻容老化等试验。配备大功率分立器件寿命试验台，间歇寿命试验系统，集成电路高温动态老化系统及高温综合试验系统等。
物理试验
球栅阵列（BGA）焊球剪切、焊球拉脱试验；镀层厚度测试；高精度尺寸测量（平面度、焊球共面性、粗糙度）；耐溶剂性；可焊性、耐焊接热试验；高灵敏度密封试验（光学检漏、He/O2一步式检漏、累积氦检漏、染料渗透检漏）；封装热变形、压力变形；热分析（热阻、红外热像、反射率热成像）；静电放电敏感度分级（ESD）、闩锁试验；引线牢固性试验；引线涂覆附着试验；玻璃熔封盖板扭矩试验；连接器的各种试验。
环境试验
气候环境：温度循环(空气-空气)、热冲击(液体-液体)、低气压、温度-湿度-低气压、盐雾/盐气、交变/稳态湿热、高温贮存、低温贮存、强加速稳态湿热、高压蒸汽、臭氧、霉菌、浸渍等。
机械环境：随机振动、扫频振动、低频振动、高频振动、振动疲劳、振动噪声、机械冲击、恒定加速度、冲击响应谱等。
空间环境试验
热真空试验、热真空释气试验、真空冷焊试验