10月28、29日，全国半导体器件标准化技术委员会采用线上视频会议的形式召开了集成电路电磁兼容工作组7项集成电路电磁兼容标准送审稿审查会，其中6项标准为我院主办，1项标准为苏州泰思特电子科技有限公司主办。参会委员应到29人，实到25人(含委托代表)。

会议审查了国家标准《集成电路 电磁发射测量 第4部分：传导发射测量 1Ω/150Ω直接耦合法》(送审稿)、《集成电路 电磁抗扰度测量 第2部分：辐射抗扰度测量 TEM小室和宽带TEM小室法》（送审稿）、《集成电路 电磁抗扰度测量 第4部分：射频功率直接注入法》（送审稿）、集成电路脉冲抗扰度测量 第2部分：同步瞬态注入法》（送审稿）、《集成电路 收发器的EMC评估 第1部分：通用条件和定义》（送审稿）、《集成电路电磁兼容建模 第1部分：通用建模框架》（送审稿）、《静电放电敏感度试验 传输线脉冲 器件级》（送审稿）。

参会委员在听取标准编制组就标准编制过程简介、编制原则和主要技术内容说明、征求意见及其汇总处理情况等汇报后，进行了认真审查讨论，一致认为标准技术内容合理完整，符合技术发展要求、具有一定的先进性，参会委员一致同意通过对该7项标准的审定，建议编制工作组根据本次会议的意见修改后提交齐套报批资料。